據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，盡管有旺季效應(yīng)和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場(chǎng)仍不敵俄烏沖突、高通脹導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求疲弱的負(fù)面影響，進(jìn)而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價(jià)格下跌3~8%的主因，且不排除部分產(chǎn)品類別如PC與智能手機(jī)領(lǐng)域恐出現(xiàn)超過8%的跌幅。
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，盡管有旺季效應(yīng)和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場(chǎng)仍不敵俄烏沖突、高通脹導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求疲弱的負(fù)面影響，進(jìn)而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價(jià)格下跌3~8%的主因，且不排除部分產(chǎn)品類別如PC與智能手機(jī)領(lǐng)域恐出現(xiàn)超過8%的跌幅。
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