12日,海力士半導(dǎo)體(SK hynix)表示,已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米(1a)級工藝的8Gigabit(Gb) LPDDR4移動端DRAM產(chǎn)品。此次量產(chǎn)的產(chǎn)品是SK海力士首次采用EUV技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)的DRAM。公司預(yù)計從下半年開始向智能手機(jī)廠商供應(yīng)適用1a納米級技術(shù)的移動端DRAM。(海力士半導(dǎo)體官網(wǎng))
12日,海力士半導(dǎo)體(SK hynix)表示,已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米(1a)級工藝的8Gigabit(Gb) LPDDR4移動端DRAM產(chǎn)品。此次量產(chǎn)的產(chǎn)品是SK海力士首次采用EUV技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)的DRAM。公司預(yù)計從下半年開始向智能手機(jī)廠商供應(yīng)適用1a納米級技術(shù)的移動端DRAM。(海力士半導(dǎo)體官網(wǎng))
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